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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
40
44
左右 -10% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.1
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.7
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
40
读取速度,GB/s
11.2
13.1
写入速度,GB/s
8.1
9.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2204
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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