RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
41
En -64% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
11.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.0
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
25
Velocidad de lectura, GB/s
11.1
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
14.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1348
3297
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link