RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
41
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
11.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
25
Prędkość odczytu, GB/s
11.1
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1348
3297
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link