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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Compara
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
38
En -31% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
3.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
29
Velocidad de lectura, GB/s
7.2
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
3.0
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
915
3221
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
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