RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Confronto
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
38
Intorno -31% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.2
7.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.0
3.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
29
Velocità di lettura, GB/s
7.2
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
3.0
13.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
915
3221
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link