RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Compara
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Puntuación global
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
38
En -41% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.1
3.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
27
Velocidad de lectura, GB/s
7.2
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
3.0
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
915
3711
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link