Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB

Puntuación global
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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Puntuación global
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InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB

InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    27 left arrow 38
    En -41% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    18 left arrow 7.2
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    15.1 left arrow 3.0
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    21300 left arrow 12800
    En 1.66 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    38 left arrow 27
  • Velocidad de lectura, GB/s
    7.2 left arrow 18.0
  • Velocidad de escritura, GB/s
    3.0 left arrow 15.1
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    915 left arrow 3711
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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