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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
比较
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
总分
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
总分
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
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需要考虑的原因
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
38
左右 -41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
7.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
3.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
27
读取速度,GB/s
7.2
18.0
写入速度,GB/s
3.0
15.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
915
3711
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
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