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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ8GX3M1A1600C10 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Corsair CMZ8GX3M1A1600C10 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Corsair CMZ8GX3M1A1600C10 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
39
左右 5% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMZ8GX3M1A1600C10 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.9
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.6
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
12800
10600
左右 1.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ8GX3M1A1600C10 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
37
39
读取速度,GB/s
11.4
13.9
写入速度,GB/s
7.4
8.6
内存带宽,mbps
10600
12800
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 10
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2409
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
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