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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
比较
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
总分
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
总分
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
38
左右 -58% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
24
读取速度,GB/s
15.5
17.4
写入速度,GB/s
12.0
13.6
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2283
3049
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
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