Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB

Punteggio complessivo
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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Punteggio complessivo
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InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB

InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    27 left arrow 38
    Intorno -41% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    18 left arrow 7.2
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    15.1 left arrow 3.0
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    21300 left arrow 12800
    Intorno 1.66 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    38 left arrow 27
  • Velocità di lettura, GB/s
    7.2 left arrow 18.0
  • Velocità di scrittura, GB/s
    3.0 left arrow 15.1
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    915 left arrow 3711
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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