RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
54
Intorno -42% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.3
9.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.5
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
38
Velocità di lettura, GB/s
9.2
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
10.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2105
2346
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Mushkin 991586 2GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link