RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
54
Autour de -42% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.5
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
38
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
10.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
2346
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology BL51264FN2001.Y16F 4GB
Elpida EBJ41UF8BCS0-DJ-F 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link