RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
54
Wokół strony -42% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
38
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
2346
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston K821PJ-MID 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link