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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Puntuación global
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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Puntuación global
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Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    38 left arrow 45
    En 16% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 1900
    En 6.74% mayor ancho de banda
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    11.7 left arrow 7.2
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.4 left arrow 3.0
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    38 left arrow 45
  • Velocidad de lectura, GB/s
    7.2 left arrow 11.7
  • Velocidad de escritura, GB/s
    3.0 left arrow 8.4
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 1900
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow no data
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    915 left arrow 2387

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Kingston 9905624-025.A00G 8GB
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Memoria RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
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Memoria RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Memoria RAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Memoria RAM
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Memoria RAM
Mushkin 991586 2GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Memoria RAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Memoria RAM
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Memoria RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Memoria RAM
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Memoria RAM
PNY Electronics PNY 2GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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