RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Porównaj
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
45
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
12800
1900
Wokół strony 6.74% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.7
7.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
3.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
45
Prędkość odczytu, GB/s
7.2
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
3.0
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
1900
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
915
2387
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link