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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Confronto
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
45
Intorno 16% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
12800
1900
Intorno 6.74% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.7
7.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
3.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
45
Velocità di lettura, GB/s
7.2
11.7
Velocità di scrittura, GB/s
3.0
8.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
1900
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
915
2387
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB Confronto tra le RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
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