RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Compara
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
38
En -6% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.5
3.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
36
Velocidad de lectura, GB/s
7.2
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
3.0
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
915
2589
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link