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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
総合得点
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
総合得点
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
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考慮すべき理由
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
36
38
周辺 -6% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
14.9
7.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.5
3.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
38
36
読み出し速度、GB/s
7.2
14.9
書き込み速度、GB/秒
3.0
10.5
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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