RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
38
Rund um -6% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.5
3.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.2
14.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
3.0
10.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
915
2589
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link