RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB

G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 17000
    周辺 1.51% 高帯域
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    19 left arrow 38
    周辺 -100% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    20.2 left arrow 15.5
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    18.1 left arrow 12.0
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    38 left arrow 19
  • 読み出し速度、GB/s
    15.5 left arrow 20.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    12.0 left arrow 18.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2283 left arrow 3905

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB RAMの比較

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
メモリRAM
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
メモリRAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
メモリRAM
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
メモリRAM
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
メモリRAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
メモリRAM
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
メモリRAM
AMD AE34G2139U2 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
メモリRAM