RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Comparar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
19
38
Por volta de -100% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.2
15.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
18.1
12.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
19
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
20.2
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
18.1
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2283
3905
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link