RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Confronto
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
38
Intorno -100% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.2
15.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
18.1
12.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
19
Velocità di lettura, GB/s
15.5
20.2
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
18.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2283
3905
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link