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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Puntuación global
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
43
En -79% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
11
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
24
Velocidad de lectura, GB/s
11.0
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1393
3005
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KF556C40-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
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Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
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