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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
43
En -65% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
11
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.0
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
26
Velocidad de lectura, GB/s
11.0
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
14.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1393
3143
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
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