RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Confronto
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
43
Intorno -65% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.8
11
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.0
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
26
Velocità di lettura, GB/s
11.0
17.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
14.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1393
3143
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Kingston 9905403-518.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link