RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
43
Rund um -65% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
11
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.0
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.0
17.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
14.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1393
3143
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link