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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
43
En -105% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.9
11
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
21
Velocidad de lectura, GB/s
11.0
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1393
2950
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
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Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
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Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
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