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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Compara
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
11
8.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.2
5.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
43
En -43% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
43
30
Velocidad de lectura, GB/s
11.0
8.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
5.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
10600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1393
1344
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
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G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
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