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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11
8.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
5.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
43
Rund um -43% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
43
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.0
8.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
5.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
10600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1393
1344
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Frequency (Mhz) *
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