Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Gesamtnote
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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Unterschiede

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    11 left arrow 8.8
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.2 left arrow 5.6
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    30 left arrow 43
    Rund um -43% geringere Latenzzeit

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    43 left arrow 30
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    11.0 left arrow 8.8
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.2 left arrow 5.6
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1393 left arrow 1344
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