RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Compara
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
29
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
12.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.2
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1763
2916
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link