RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Compara
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
27
En -29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.2
12.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.8
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
21
Velocidad de lectura, GB/s
12.2
19.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
18.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1763
4119
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
SK Hynix HMT41GU6MFR8C-PB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link