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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Compara
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Puntuación global
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
30
En 10% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.7
12.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.1
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
30
Velocidad de lectura, GB/s
12.2
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1763
2611
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
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InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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