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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Compara
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Puntuación global
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
49
En 45% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.2
10.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
49
Velocidad de lectura, GB/s
12.2
10.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1763
2302
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
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Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
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