RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Compara
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
35
En 23% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
12.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
35
Velocidad de lectura, GB/s
12.2
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
9.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1763
2502
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link