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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Compara
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Puntuación global
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
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Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
27
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.1
12.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
23
Velocidad de lectura, GB/s
12.2
14.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1763
2388
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
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