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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Compara
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Puntuación global
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Puntuación global
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
32
En 16% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.2
10.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
32
Velocidad de lectura, GB/s
12.2
10.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1763
2318
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
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