RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Compara
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.7
12.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.8
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
27
Velocidad de lectura, GB/s
12.2
18.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
17.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1763
3963
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link