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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Compara
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
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Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
12.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
27
Velocidad de lectura, GB/s
12.2
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
8.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1763
2373
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
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