RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Compara
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Puntuación global
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
46
En -130% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.7
14.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
19.2
13.6
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
20
Velocidad de lectura, GB/s
14.2
20.7
Velocidad de escritura, GB/s
13.6
19.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2717
4235
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link