RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Сравнить
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
-->
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
46
Около -130% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.7
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.2
13.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
20
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
20.7
Скорость записи, Гб/сек
13.6
19.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2717
4235
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link