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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
28
En 21% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
16.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
22
28
Velocidad de lectura, GB/s
17.7
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
12.7
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3075
3036
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
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