RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Сравнить
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB против Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
-->
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
28
Около 21% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
16.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
11.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
22
28
Скорость чтения, Гб/сек
17.7
16.4
Скорость записи, Гб/сек
12.7
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3075
3036
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Сравнения RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link