RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Porównaj
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
28
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
16.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
11.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
22
28
Prędkość odczytu, GB/s
17.7
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.7
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3075
3036
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link