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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Compara
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Puntuación global
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Puntuación global
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
77
En -328% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.2
2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.7
1,884.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
18
Velocidad de lectura, GB/s
2,936.9
21.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,884.0
17.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
564
3663
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
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