RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Confronto
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
18
77
Intorno -328% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
21.2
2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.7
1,884.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
18
Velocità di lettura, GB/s
2,936.9
21.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,884.0
17.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
564
3663
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link