RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Compara
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Puntuación global
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Puntuación global
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
14.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
77
En -208% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
1,884.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
25
Velocidad de lectura, GB/s
2,936.9
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,884.0
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
564
2583
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link