RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Compara
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
13.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
101
En -274% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.8
7.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
101
27
Velocidad de lectura, GB/s
14.2
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.0
9.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1313
2323
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link