RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Porównaj
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
101
Wokół strony -274% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
7.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
101
27
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.0
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1313
2323
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link