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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
37
En -48% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.2
14.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.1
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
25
Velocidad de lectura, GB/s
14.7
20.2
Velocidad de escritura, GB/s
10.6
18.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
21300
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2438
4046
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
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