RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Porównaj
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
37
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.2
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.1
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
25
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
10.6
18.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2438
4046
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Kingston HP687515-H66-MCN 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link